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<p>분리된 트라이-게이트 반도체 바디를 형성하는 방법은, 핀 구조를 형성하기 위해 벌크 기판을 패터닝하는 단계, 핀 구조 주위에 절연 재료를 성막하는 단계, 트라이-게이트 반도체 바디에 사용될 핀 구조의 일부분을 노출시키기 위해 절연 재료를 리세스하는 단계, 핀 구조의 노출된 부분을 보호하기 위해 핀 구조의 노출된 부분 위해 질화물 캡을 성막하는 단계, 및 질화물 캡 아래의 핀 구조의 보호되지 않은 부분을 산화시키기 위해 열적 산화 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 핀의 산화된 부분은 질화물 캡에 의해 보호되는 반도체 바디를 절연한다. 그리고 나서 질화물 캡은 제거된다. 열적 산화 프로세스는 약 0.5시간과 약 3시간 이상 사이의 지속 시간 동안 약 900℃와 약 1100℃ 사이의 온도에서 기판을 어닐링하는 단계를 포함한다.</p> |
