发明名称 用于电光调制器的波导电容器
摘要 一种用于电光调制器的波导电容器,包括脊波导,所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,并在其上加载半导体材料,所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离,所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中,其中所述加载后的波导仍保持脊波导的形状,形成封盖式波导电容;所述绝缘层上直接加载半导体材料;所述脊波导的波导脊上刻蚀有纵向槽或周期性分布的横向槽结构,所述纵向槽使波导脊形成双脊结构,所述横向槽的间隔周期略短于光波长的二分之一。本发明与现有技术相比,脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,提高了单位波导导模模斑横截面所携带的电容值,同时,波导导模的有效模斑尺寸比现有的波导电容小,对光的限制因子大,有利于提高调制器的效率。
申请公布号 CN102087425B 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201110028768.6 申请日期 2008.08.20
申请人 李冰 发明人 李冰
分类号 G02F1/025(2006.01)I 主分类号 G02F1/025(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于电光调制器的波导电容器,包括脊波导,所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,并在其上加载半导体材料,所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离,所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中,其特征在于:所述绝缘层上直接加载半导体材料;所述绝缘层和所述加载的半导体材料覆盖所述脊波导的波导脊和平板区的表面;所述加载后的波导仍保持脊波导的形状,形成封盖式波导电容;所述脊波导的波导脊上刻蚀纵向槽形成一个双脊结构;所述加载的半导体材料位于所述脊波导的平板区上方的部分引入金属接触电极;所述脊波导的平板区上方引入金属接触电极。
地址 200433 上海市杨浦区国定路335号2号楼1611室