| 发明名称 | 金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种金属蚀刻方法，包含下述步骤：对金属膜进行蚀刻并获取该金属膜的蚀刻终点时间；将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例而得到所述金属膜的过蚀刻时间；对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。还公开了一种金属蚀刻控制方法及其装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102812157A | 申请公布日期 | 2012.12.05 |
| 申请号 | CN201080063879.4 | 申请日期 | 2010.12.14 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 王静文;贺成明 |
| 分类号 | C23F1/02(2006.01)I;C23F1/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人 | 欧阳启明 |
| 主权项 | PCT国内申请，权利要求书已公开。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||