| 摘要 |
<p>[과제] 반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에 사용되는, 리소그래피용 하층막형성 조성물, 및 포토레지스트에 비해 큰 건식에칭 속도를 갖고, 그리고, 포토레지스트와의 인터믹싱을 일으키지 않는 하층막을 제공하는 것이다. [해결수단] 보호된 카르복실기를 갖는 화합물, 카르복실기와 반응가능한 기를 갖는 화합물 및 용제를 포함하는 하층막형성 조성물, 또는 카르복실기와 반응가능한 기와 보호된 카르복실기를 갖는 화합물 및 용제를 포함하는 하층막형성 조성물.</p> |
