发明名称 |
硅基液晶显示器件的场缓存像素电路 |
摘要 |
本发明公开了一种硅基液晶显示器件的场缓存像素电路,包括预充电电路、阈值电压产生电路、采样保持电路和输入数据电压读入电路;所述预充电电路与所述阈值电压产生电路、采样保持电路和所述输入数据电压读入电路连接,所述阈值电压产生电路还分别与所述采样保持电路和所述输入数据电压读入电路连接。本发明在存储输入数据电压时先加上一个阈值电压,抵消了转移电压时存在的阈值损失,从而提高了输出电压的稳定性和一致性,改善了显示效果。 |
申请公布号 |
CN102324226B |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201110318341.X |
申请日期 |
2011.10.19 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
赵博华;黄苒;杜寰;罗家俊;林斌 |
分类号 |
G02F1/133(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/133(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种硅基液晶显示器件的场缓存像素电路,其特征在于,包括预充电电路、阈值电压产生电路、采样保持电路和输入数据电压读入电路;所述预充电电路与所述阈值电压产生电路、采样保持电路和所述输入数据电压读入电路连接,所述阈值电压产生电路还分别与所述采样保持电路和所述输入数据电压读入电路连接,所述预充电电路包括第一晶体管,所述阈值电压产生电路包括第二晶体管和第三晶体管,所述采样保持电路包括存储电容,所述输入数据电压读入电路包括第四晶体管、第五晶体管和像素电容,所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管栅极和漏极相连接,所述第一晶体管的漏极还与所述存储电容一端以及所述第四晶体管的栅极相连接,所述第一晶体管的源极外接电源电压,所述第一晶体管的栅极外接充电控制信号;所述存储电容的另一端接地;所述第二晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极相连接,所述第三晶体管的源极与输入数据电压相接,所述第三晶体管的栅极外接写信号;所述第四晶体管的漏端与充放电控制信号相接,所述第四晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极相连;所述第五晶体管的栅极外接读入控制信号,所述第五晶体管的源极与所述像素电容一端相连,所述像素电容的另一端接地。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |