发明名称 |
冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法 |
摘要 |
本发明涉及冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法,所述方法包括常规制绒过程,所述方法还包括在所述常规制绒过程之前设置有预处理过程。本发明的方法通过在常规制绒过程之前设置预处理过程,添加碱性物质和氧化物的方法,对于杂质含量高,表面状况复杂的冶金级硅的单晶以及类单晶硅片,获得的绒面效果均匀,清晰,反射率可从14%降到8%,全片硅片反射率的均匀性可达+/-2%。 |
申请公布号 |
CN102810596A |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201210123816.4 |
申请日期 |
2012.04.24 |
申请人 |
上澎太阳能科技(嘉兴)有限公司 |
发明人 |
杨华;余义;宋光华;李庄 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法,所述方法包括常规制绒过程,其特征在于,所述方法还包括在所述常规制绒过程之前设置有预处理过程。 |
地址 |
314031 浙江省嘉兴市秀洲工业园区美盾路333内号2号厂房 |