发明名称 |
双沟型GPP钝化保护二极管芯片 |
摘要 |
双沟型GPP钝化保护二极管芯片。涉及对双沟型GPP钝化保护二极管芯片结构的改进。提供了一种能避免产生隐裂和PN结损伤,且节约材料的双沟型GPP钝化保护二极管芯片。所述芯片的顶面开设有一圈凹槽,所述凹槽内设置有GPP钝化保护层;在所述凹槽外缘的外侧还设有一圈切割保护区。本实用新型从晶片正面的保护凹槽外部的保护区下刀切割,避免了现有技术中在切割沟槽底部的过程中对芯片PN结造成的应力损伤,使得本实用新型产品正面的沟槽底部完全被玻璃填满,能够对PN结起到更好的钝化保护作用,使得芯片品质有很好地保证。此外,对切割保护区的尺寸,在满足机械切割工具可靠工作的同时,避免了材料的浪费。 |
申请公布号 |
CN202585425U |
申请公布日期 |
2012.12.05 |
申请号 |
CN201220259601.0 |
申请日期 |
2012.06.04 |
申请人 |
扬州杰利半导体有限公司 |
发明人 |
汪良恩;裘立强;王毅;游佩武 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
董建林 |
主权项 |
双沟型GPP钝化保护二极管芯片,所述芯片的顶面开设有一圈凹槽,所述凹槽内设置有GPP钝化保护层;其特征在于,在所述凹槽外缘的外侧还设有一圈切割保护区。 |
地址 |
225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 |