发明名称 非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体系统,以及用于该非挥发性记忆体装置之控制方法
摘要 一种非挥发性记忆体装置,其允许有效的使用资料区域和增强资料读取之可靠度,以及一种非挥发性记忆体系统和用于该非挥发性记忆体装置之控制方法。该非挥发性记忆体装置1包含:复数个资料区域13,系储存资料;关联于各复数个资料区域13设置之ECC区域14,各该ECC区域14储存相关于储存在关联之复数个资料区域13之其中一个资料区域之资料的错误更正码ECC;错误更正码产生部2产生相关于储存在各复数个资料区域13之所有资料的错误更正码ECC,以便反应于输入之码产生命令CMD而储存至各该ECC区域;侦测器电路15,系侦测该错误更正码ECC已经产生;以及读取部3,系反应于藉由该侦测器电路15之侦测操作,使用该错误更正码ECC更正读取自各复数个资料区域13之资料。
申请公布号 TWI378464 申请公布日期 2012.12.01
申请号 TW097121367 申请日期 2008.06.09
申请人 史班逊有限公司 发明人 笠靖
分类号 G11C29/42 主分类号 G11C29/42
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种非挥发性记忆体装置,包括:复数个资料区域,系储存资料;以及关联于各该复数个资料区域设置之复数个ECC区域,各该复数个ECC区域储存相关于储存在关联之该复数个资料区域之其中一个资料区域之资料的错误更正码,其中,该非挥发性记忆体装置复包括:错误更正码产生部,系产生相关于储存在各该复数个资料区域之所有资料之该错误更正码,以便反应于输入之码产生命令而储存至关联之该复数个ECC区域之其中一个ECC区域;侦测器电路,系侦测该错误更正码已经产生;以及读取部,系反应于藉由该侦测器电路之侦测操作,使用该错误更正码更正读取自各该复数个资料区域之该资料。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置,其中,该错误更正码产生部连同该错误更正码一起产生旗标资讯,以及其中,反应于该旗标资讯,该侦测器电路侦测该错误更正码之产生。如申请专利范围第2项之非挥发性记忆体装置,其中,各该复数个ECC区域储存该旗标资讯,以及其中,该侦测器电路接受来自各该复数个ECC区域之该旗标资讯。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置,其中,假使储存于各该复数个ECC区域之该错误更正码之所有的位元为相同,则该侦测器电路输出表示尚未产生该错误更正码之侦测结果,以及假使储存于各该复数个ECC区域之该错误更正码之所有位元的至少一个位元与其余的位元不相同,则该侦测器电路输出表示已经产生该错误更正码之侦测结果。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置,其中,该错误更正码产生部包括:码产生电路,系产生该错误更正码;写入缓冲器,系储存待输入于该码产生电路之该资料;以及输入通路,系反应于该码产生命令而通过该储存于各该复数个资料区域中之所有资料至该写入缓冲器。如申请专利范围第5项之非挥发性记忆体装置,其中,该写入缓冲器同时结合该自外部输入至该写入缓冲器之资料与该码产生命令之输入以及该经由该输入通路输入至该写入缓冲器之资料,以便输出该结合至该码产生电路之资料。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置,其中,该读取部包括:更正电路,系使用该错误更正码更正该读取自各该复数个资料区域之资料;以及选择器,系接受来自该更正电路之输出和来自各该复数个资料区域之输出,当接受来自该侦测器电路之通知系通知尚未产生该错误更正码时,该选择器电路选择输出该来自各该复数个资料区域之输出,而当接受来自该侦测器电路之通知系通知已经产生该错误更正码时,该选择器选择输出该来自该更正电路之输出。一种非挥发性记忆体系统,包括:复数个资料区域,系储存资料;以及关联于各该复数个资料区域设置之复数个ECC区域,各该复数个ECC区域储存相关于储存在关联之该复数个资料区域之其中一个资料区域之资料的错误更正码,其中,该非挥发性记忆体系统复包括:错误更正码产生部,系产生相关于储存在各该复数个资料区域之所有资料之该错误更正码,以便反应于输入之码产生命令而储存至关联之该复数个ECC区域之其中一个ECC区域;侦测器电路,系侦测该错误更正码已经产生;以及读取部,系反应于藉由该侦测器电路之侦测操作,使用该错误更正码更正读取自各该复数个资料区域之资料。如申请专利范围第8项之非挥发性记忆体系统,其中,反应于由该侦测器电路之侦测操作,禁止该资料额外写入至尚未有资料写入之各该复数个资料区域之闲置空间。一种用于非挥发性记忆体系统之控制方法,包括:复数个资料区域,系储存资料;以及关联于各该复数个资料区域设置之复数个ECC区域,各该复数个ECC区域储存相关于储存在关联之该复数个资料区域之其中一个资料区域之资料的错误更正码,该控制方法包括下列步骤:写入或读取资料至或从各该复数个资料区域;反应于码产生命令之输入从该储存于各该复数个资料区域中之所有资料产生该错误更正码,该码产生命令指示该错误更正码之产生,并储存至关联于该复数个ECC区域之其中一个ECC区域;以及当反应于产生之该错误更正码从各该复数个资料区域读取资料时,使用该错误更正码更正该资料。如申请专利范围第10项之控制方法,其中,反应于该码产生命令之输入,禁止该资料额外写入至尚未有资料写入之各该复数个资料区域的闲置空间。如申请专利范围第10项之控制方法,其中,该产生该错误更正码之步骤包括下列步骤:读取写入于各该复数个资料区域之所有资料;藉由同时结合读取之资料和输入自外部之资料与该码产生命令之输入而产生结合之资料;以及从该结合之资料产生该错误更正码。
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