清洁基材之方法与装置

摘要

一种藉由施加数种化学品和气体至该基材而用于清洁和乾燥一种基材的装置系被提供。该装置可以包括：一种基材承载构件，其包括一种容纳一种基材的夹盘；一种第一喷嘴构件，其为了乾燥该基材而注入一种乾燥流体至该基材的一个顶部表面上；一种下盖，其包括一个开启的顶部且围住该夹盘；以及一种上盖，其选择性地关闭该下盖之开启的顶部以便于在一个封闭空间中乾燥该基材。因而，该装置更有效地乾燥一种基材以及保护该基材不被外部污染源所污染。再者，一种非所欲的氧化层之产生于该基材上能被预防。

主权项

一种用于清洁一基材的装置，其包含：一基材承载构件，其包括一组构成用以接收一基材的夹盘；一第一喷嘴构件，其系组构成用以注入一乾燥流体至该基材的一顶部表面上来乾燥该基材；一下盖，其包含一底部表面、一侧表面及一开启的顶部，该夹盘系被该下盖之底部表面及侧表面包围；一可相对于该下盖移动之上盖，用以选择性地覆盖该开启的顶部并抵靠该下盖之侧表面而密封，以便于在一封闭空间中乾燥该基材；一与该上盖及该下盖间隔之清洁喷嘴，该清洁喷嘴系可由一第一位置移动至一第二位置，该第一位置系在该封闭空间外面，该第二位置系面对接收在该基材承载构件上之该基材，并且该清洁喷嘴系组构成用以供应清洁流体至该基材；及一至少部分设置在该封闭空间中之减压单元，用以将由该下盖及该上盖形成的该封闭空间减压至一低于环围压力之压力。如申请专利范围第1项之装置，其进一步包含一旋转该第一喷嘴构件之第一旋转单元。如申请专利范围第2项之装置，其中该第一喷嘴构件包含一喷嘴，该喷嘴包括沿着一条自该基材的中央至边缘行进的水平线而配置之复数个注射孔。如申请专利范围第1项之装置，其进一步包含一抬升单元，该抬升单元将该上盖移向该下盖或移离该下盖，用以关闭或开启该下盖之开启的顶部。如申请专利范围第1项之装置，其中该第一喷嘴构件包括一喷嘴，该喷嘴包括一注射孔以及被配置于该基材之上的该封闭空间中。如申请专利范围第5项之装置，其进一步包含一旋转该第一喷嘴构件之第一旋转单元。如申请专利范围第1项之装置，其中该第一喷嘴构件被供应至该上盖。如申请专利范围第7项之装置，其进一步包含一旋转该上盖之第一旋转单元。如申请专利范围第5项之装置，其中该喷嘴包括复数个沿着一条自该基材的中央至边缘行进的水平线配置的注射孔。如申请专利范围第9项之装置，其中该等注射孔的孔面积密度以自该基材的中央至边缘的一方向而增加。如申请专利范围第1项之装置，其中该夹盘包括支撑该基材以及将该基材与该夹盘的一顶部表面隔开的承载构件。如申请专利范围第11项之装置，其进一步包含一被安装在该夹盘处的一第二喷嘴构件，用以注入一流体至该基材的一底部表面上。如申请专利范围第1项之装置，其中该基材承载构件进一步包括一旋转该夹盘之第二旋转单元。如申请专利范围第1项之装置，其中该乾燥流体包含一有机溶剂和氮气。一种用于清洁一基材的装置，其包含：一基材承载构件，其包括组构成用来接收一基材的一夹盘和组构成用来支撑该夹盘的一转轴；一室，其提供其中放置该夹盘的一封闭空间，该室包含：一具有一底部表面之下盖，该底部表面包括该第一转轴通过其中之一第一转轴孔、一侧表面及一开启的顶部；一可相对于该下盖移动之上盖，用以选择性地覆盖该开启的顶部并抵靠该下盖之侧表面而密封，以便于在一封闭空间中处理该基材；一与该上盖及该下盖间隔之清洁喷嘴，该清洁喷嘴系可由一第一位置移动至一第二位置，该第一位置系在该室外面，该第二位置系面对接收在该基材承载构件上之该基材，并且该清洁喷嘴系组构成用以供应清洁流体至该基材；及一至少部分设置在该室中之减压单元，用以将由该下盖及该上盖形成的该封闭空间减压至一低于环围压力之第一压力；其中该室包括被安装在不同的高度的第一和第二密封构件，以便于该转轴和该第一转轴孔之间形成一缓冲空间。如申请专利范围第15项之装置，其进一步包含：一第二减压单元，其将该等第一和第二密封构件之间形成的该缓冲空间减压至一低于该环围压力的第二压力。如申请专利范围第16项之装置，其中该缓冲空间的该第二压力系低于该封闭空间的该第一压力，以便防止外面的空气被引入至该封闭空间内。如申请专利范围第16项之装置，其中该等第一和第二密封构件系为轴承。如申请专利范围第15项之装置，其进一步包含一抬升单元，其移动该上盖以开启或关闭该下盖之开启的顶部。如申请专利范围第15项之装置，其进一步包含一第一喷嘴构件，其包括一形成有一注射孔的喷嘴，用以注射一乾燥流体至该基材的一顶部表面上以乾燥该基材，其中该喷嘴系设置于该基材之上的该封闭空间内。如申请专利范围第15项之装置，其进一步包含一第一喷嘴构件，其包括一第二转轴和由该第二转轴支撑的一喷嘴，该喷嘴系形成有一注射孔，用以注射一乾燥流体至该基材的一顶部表面上以乾燥该基材，以及一支撑该喷嘴的转轴，其中该喷嘴系设置于该基材之上的该封闭空间内，以及该室进一步包括：一其中该第一喷嘴构件的该转轴通过之第二转轴孔；以及被安装在不同高度的第三和第四密封构件，以提供介于该第一喷嘴构件的该转轴和该第二转轴孔之间的一空间之密封。一种用于清洁一基材的装置，其包含：一种基材承载构件，其包括组构成用来接收一基材的一夹盘和支撑该夹盘的一转轴；一第一喷嘴构件，其包括组构成用来注射一乾燥流体至该基材的一顶部表面上用于乾燥该基材之一喷嘴，以及组构成用来支撑该喷嘴的一转轴；一下盖，其包含一底部表面、一侧表面及一开启的顶部，该夹盘系被该下盖之底部表面及侧表面包围；一可相对于该下盖移动之上盖，其用于选择性地覆盖该开启的顶部并抵靠该下盖之侧表面而密封，以便于在一封闭空间中乾燥该基材；一至少部分设置在该封闭空间中之减压单元，用以将由该下盖和该上盖形成的该封闭空间减压；及一与该上盖及该下盖间隔之清洁喷嘴，该清洁喷嘴系可由一第一位置移动至一第二位置，该第一位置系在该封闭空间外面，该第二位置系面对接收在该基材承载构件上之该基材，并且该清洁喷嘴系组构成用来供应清洁流体至该基材；其中该下盖包括一第一转轴孔及第一和第二密封构件，该基材承载构件的该转轴系通过该第一转轴孔，且该第一和第二密封构件被安装在不同的高度以提供一介于该基材承载构件的该转轴和该第一转轴孔之间的空间之密封；以及其中该上盖包括一第二转轴孔及第三和第四密封构件，该第一喷嘴构件的该转轴通过该第二转轴孔，且该第三和第四密封构件被安装在不同的高度以提供一介于该第一喷嘴构件的该转轴和该第二转轴孔之间的空间之双重的密封。如申请专利范围第22项之装置，其中该减压单元将该封闭空间减压至一低于环围压力的第一压力，该装置进一步包含另一减压单元，其将一形成于该等第一和第二密封构件之间的缓冲空间以及一形成于该等第三和第四密封构件之间的缓冲空间减压至一低于环围压力的第二压力。如申请专利范围第23项之装置，其中该等缓冲空间的该第二压力系低于该封闭空间的该第一压力，以便于防止外面的空气被引入至该封闭空间内。一种用于清洁一基材的装置，其包含：一室，其提供一封闭空间，该室包含：一下盖，该下盖具有一包括一第一转轴孔的底部表面、一侧表面及一开启的顶部；一可相对于该下盖移动之上盖，其用于选择性地覆盖该开启的顶部并抵靠该下盖之侧表面而密封，该上盖包括一第二转轴孔；一第一喷嘴构件，其系经由该第一转轴孔而被可旋转地安装在该上盖处；一基材承载构件，其系经由该第二转轴孔而被可旋转地安装在该下盖处；第一和第二密封构件，其等系藉由双重地密封一介于该基材承载构件和该第二转轴孔之间的空间而形成一缓冲空间；第三和第四密封构件，其等系藉由双重地密封一介于该第一喷嘴构件和该第一转轴孔之间的空间而形成一缓冲空间；以及一至少部分设置在该室中之减压单元，其用于调整该封闭空间和缓冲空间的压力至不同的位准，以便于防止外面的空气被引入至该封闭空间内；及一与该上盖及该下盖间隔之清洁喷嘴，该清洁喷嘴系可由一第一位置移动至一第二位置，该第一位置系在该室外面，该第二位置系面对接收在该基材承载构件上之该基材，并且该清洁喷嘴系组构成用来供应清洁流体至该基材。如申请专利范围第25项之装置，其中该等缓冲空间的压力系被调整至要低于该封闭空间的压力。一种利用一基材清洁装置来清洁一基材的方法，该基材清洁装置包括其中穿插有一夹盘的一转轴和一第一喷嘴构件的一转轴之转轴孔，以及提供该等转轴孔的内部空间之密封的密封构件，该方法包括：装载一基材于被设置于一下盖中之该夹盘上，该下盖具有一底部表面、一侧表面及一开启的顶部，该夹盘系被该下盖之底部表面及侧表面包围；以及在隔离其中放置该基材的一空间之后，藉由供应一乾燥流体至该基材来乾燥该基材，其中该基材的乾燥包括：在供应该乾燥流体之前，将该隔离的空间减压至一低于环围压力的第一压力；以及将形成于该等密封构件之间的缓冲空间减压至一低于该第一压力的第二压力。如申请专利范围第27项之方法，其中系在旋转该夹盘时，执行该基材的乾燥。如申请专利范围第28项之方法，其中该乾燥流体系经由一设置于该隔离空间的一上部处之一第一喷嘴构件的一喷嘴而被供应至该基材。如申请专利范围第29项之方法，其中系在旋转该夹盘和该喷嘴的至少一个时，执行该基材的乾燥。