| 发明名称 |
具有ｐｎ接面之化合物半导体基板的制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种化合物半导体基板的制造方法，系适用于生产具有高度电特性之化合物半导体元件。;该化合物半导体基板之制造方法，系具有pn接面之化合物半导体基板之制造方法，包含磊晶成长步骤、其后之选择成长步骤以及任意的其他步骤，其中，磊晶成长步骤之后的选择成长步骤以及任意的其他步骤之最高温度，系比选择成长步骤之前的磊晶成长步骤之最高温度还低。 |
| 申请公布号 |
TWI378495 |
申请公布日期 |
2012.12.01 |
| 申请号 |
TW094117633 |
申请日期 |
2005.05.30 |
| 申请人 |
住友化学股份有限公司 |
发明人 |
小广健司;上田和正;秦雅彦 |
| 分类号 |
H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
| 主权项 |
一种化合物半导体基板之制造方法，该化合物半导体基板具有pn接面，其制造方法包含磊晶成长步骤、遮罩形成步骤以及之后之选择成长步骤，其中，磊晶成长步骤之后的选择成长步骤之最高温度，比选择成长步骤之前之磊晶成长步骤的最高温度还低。如申请专利范围第1项之制造方法，其中，磊晶成长步骤之后的步骤之最高温度，与选择成长步骤之前的磊晶成长步骤之最高温度相差30℃以上、300℃以下。 |
| 地址 |
日本 |
