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一种发光二极体的警示系统，包括：一发光单元，由复数个发光二极体微晶粒组成；一侦测装置，用以侦测该发光单元的电压、电流、光通量、或功率变化，并输出一侦测结果；以及一警示装置，根据该侦测结果输出一警示信号，以显示该发光单元中的发光二极体微晶粒的损害状态。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该侦测装置为一电阻，用以产生一压降，当该压降大于一预定值时，驱动该警示装置。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该侦测装置为一电感，根据流经该发光单元的电流产生一压降，当该压降大于一预定值时，驱动该警示装置。如申请专利范围第3项所述之发光二极体的警示系统，其中该电感包括一感应线圈。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该侦测装置包括至少一电阻、电容或电感，用以侦测该发光二极体的电压、电流或功率变化。如申请专利范围第5项所述之发光二极体的警示系统，其中该侦测装置更包括一放大电路，将侦测到的侦测结果放大，传送到该警示装置。如申请专利范围第5项所述之发光二极体的警示系统，其中该侦测装置更包括一编码电路，将该侦测装置侦测到的侦测结果编码后传送给该警示装置。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该警示装置包括一解码电路，用以解码该侦测装置传送来的资料。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该警示装置包括一显示装置、一发光二极体、一声音产生装置或一电脑。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该警示装置为一远端伺服器，透过线路、有线网路、无线网路、蓝芽或是红外线与该侦测装置沟通。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该警示装置包括一第一显示装置以及一第二显示装置，当该发光单元中的发光二极体微晶粒损害数量达一第一预定值时，驱动该第一显示装置；当该发光单元中的发光二极体微晶粒损害数量达一第二预定值时，驱动该第二显示装置。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该第一显示装置为一第一发光二极体，该第二显示装置为一第二发光二极体。如申请专利范围第12项所述之发光二极体的警示系统，其中该第一发光二极体与该第二发光二极体具有不同的波长。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该发光单元包括一发光二极体，该发光二极体为交流发光二极体或高压直流发光二极体。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该发光单元由复数个具有发光二极体微晶粒结构的交流发光二极体或高压直流发光二极体所组成。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该发光二极体与侦测装置封装在同一单元结构中。如申请专利范围第16项所述之发光二极体的警示系统，其中该发光二极体更耦接一电阻，该发光二极体具有一第一端以及一第二端，该电阻具有一第一端与一第二端，该发光二极体的第一端形成一第一电极，该发光二极体的第一端与该电阻的第一端形成一第二电极，该电阻的第二端形成一第三电极。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中更包括一控制器，根据该侦测结果求得并记录该发光单元中的发光二极体微晶粒损害数量。如申请专利范围第18项所述之发光二极体的警示系统，其中该控制器根据侦测结果调整输入该发光二极体的一驱动电流或一驱动电压。如申请专利范围第18项所述之发光二极体的警示系统，更包括：一电流源，输出一驱动电流至该发光二极体，并受控于该控制器调整该驱动电流的大小。如申请专利范围第19项所述之发光二极体的警示系统，其中该电流源包括一电流镜电路。如申请专利范围第19项所述之发光二极体的警示系统，其中该驱动电流为一脉冲宽度调变信号，该电流源为一脉冲宽度调变电路，该脉冲宽度调变电路受控于该控制器，用以调整该脉冲宽度调变信号的责任周期。如申请专利范围第18项所述之发光二极体的警示系统，更包括：一电压源，输出一驱动电压至该发光二极体，并受控于该控制器调整该驱动电压的大小。如申请专利范围第18项所述之发光二极体的警示系统，其中侦测装置为一光侦测单元，用以侦测该发光二极体的亮度，并将一侦测结果传送至该控制器。如申请专利范围第18项所述之发光二极体的警示系统，当该发光二极体的亮度增加时，该控制器减少输入该发光二极体的一驱动电流。如申请专利范围第1项所述之发光二极体的警示系统，其中该侦测装置为一功率变化检出装置，包括一光耦合器，耦接该警示装置，当流经该发光单元的电流增加一预定值时，该光耦合器被致能时，使得该警示装置中的一警示发光二极体导通或关闭。如申请专利范围第26项所述之发光二极体的警示系统，其中该光耦合器包括：一发光元件；以及一受光元件，耦接该该警示装置，当流经该发光单元的电流量增加该预定值时，该发光元件被导通而发光，使得该受光元件被导通。 |
