| 主权项 |
一种制造用于电浆处理装置之气体分配构件的方法，其包含：制造气体注射孔，该等气体注射孔在该气体分配构件之相对之入口与出口表面之间延伸；量测该气体分配构件之复数个区域之每一者在该出口表面处自该等气体注射孔流出的一总气流；及基于为该等区域之每一者而量测之总气流，调整该气体分配构件在该等区域之一或多者处之气体渗透性以达成该出口表面处之一所要气流分配型样。如请求项1之方法，其中该气体分配构件为矽或碳化矽之一簇射头电极。如请求项1之方法，其中该气体分配构件为一气体分配板。如请求项1之方法，其中，在该调整之后，该等区域之每一者均具有大体上相同之气体渗透性以使得该气体分配构件可在该出口表面处提供一大体上均一之气流分配型样。如请求项1之方法，其中，在该调整之后，该等区域之至少两者具有彼此不同之气体渗透性。如请求项1之方法，其中该等气体注射孔系由一机械制造技术制造。如请求项1之方法，其中该等气体注射孔之至少两者具有彼此不同之截面形状。如请求项1之方法，其中该气体分配构件之该气体渗透性之该调整包含：确定通过该等区域之一第一者的最高总气流与通过该等区域之至少一第二者的总气流之间之差值；及在该第二区域中，(i)修改至少一个气体注射孔以藉此增加通过该经修改气体注射孔之气流，及/或(ii)制造至少一个附加气体注射孔，以藉此相对于该第一区域之气体渗透性而调整该第二区域之气体渗透性。如请求项8之方法，其中用于(i)及/或(ii)之制造技术系基于该第二区域中之孔之总数目来确定。如请求项1之方法，其中该气体分配构件之气体渗透性之该调整包含：确定一所要总气流与通过该等区域之每一者之经量测总气流之间之差值；及在该或该等区域之每一者处，(i)修改至少一个气体注射孔以藉此增加通过该经修改气体注射孔之气流，及/或(ii)制造至少一个附加气体注射孔，以藉此基于该所要总气流而调整该或该等区域之气体渗透性。如请求项10之方法，其中用于(i)及/或(ii)之制造技术系基于该或该等区域中孔之总数目来确定。一种调整用于电浆处理装置之气体分配构件之气体渗透性的方法，其包含：使气体流过一气体分配构件之气体注射孔以使得该气体在该气体分配构件之一出口表面处流出；量测自该等气体注射孔流出的该气体分配构件之复数个区域之每一者之一总气流；及基于为该等区域之每一者而量测之该等总气流，调整该气体分配构件在该等区域一或多者处之气体渗透性以达成该出口表面处之一所要气流分配型样。如请求项12之方法，其中该气体分配构件为矽或碳化矽之一簇射头电极。如请求项12之方法，其中该气体分配构件之气体渗透性之该调整包含：确定通过该等区域之一第一者的最高总气流与通过该等区域之至少一第二者的总气流之间之差值；及在该第二区域中，(i)修改至少一个气体注射孔以藉此增加通过该经修改气体注射孔之气流，及/或(ii)制造至少一个附加气体注射孔，以藉此相对于该第一区域之气体渗透性而调整该第二区域之气体渗透性。如请求项14之方法，其中用于(i)及/或(ii)之制造技术系基于该第二区域中之孔之总数目来确定。如请求项12之方法，其中该气体分配构件之气体渗透性之该调整包含：确定一所要总气流与通过该等区域之每一者之经量测总气流之间之差值；及在该或该等区域之每一者处，(i)修改至少一个气体注射孔以藉此增加通过该经修改气体注射孔之气流，及/或(ii)制造至少一个附加气体注射孔，以藉此调整该或该等区域之气体渗透性。如请求项16之方法，其中用于(i)及/或(ii)之制造技术系基于该或该等区域中孔之总数目来确定。 |
