| 主权项 |
一种制造低重氧及氘含量水之蒸馏装置，系包括：容槽，系用以容纳原料水；加热单元，系用以加热该容槽内之原料水以产生水蒸气；第一收集槽，系用以接收低重氧及氘含量之水；第一缓冲槽，系连接该容槽与第一收集槽，俾使该水蒸气经该第一缓冲槽馈送至该第一收集槽，且该第一缓冲槽内设有缓冲件，以改变水蒸气通过该第一缓冲槽之路径；以及减压单元，系用以降低该蒸馏装置内之压力。如申请专利范围第1项之蒸馏装置，复包括第二收集槽，系用以接收来自第一收集槽之低重氧及氘含量的水。如申请专利范围第1项之蒸馏装置，复包括冷凝单元，以控制该第一收集槽之温度俾令该水蒸气冷凝于该第一收集槽内。如申请专利范围第2项之蒸馏装置，复包括冷凝单元，以控制该第一收集槽及第二收集槽之温度。如申请专利范围第2项之蒸馏装置，复包括第二缓冲槽，系连接该第一收集槽与第二收集槽。如申请专利范围第5项之蒸馏装置，其中，该第二缓冲槽内亦设有缓冲件。一种制造低重氧及氘含量水之方法，系使用如申请专利范围第1项之蒸馏装置；以及该方法包括在该蒸馏装置内压力低于环境压力条件下，蒸馏该容槽内之原料水以产生水蒸气，并令该水蒸气经该第一缓冲槽以冷凝于该第一收集槽中，其中，蒸馏出该容槽之水体积不超过原料水体积60%。如申请专利范围第7项之方法，其中，系于该容槽内之原料水未沸腾的条件下进行蒸馏。如申请专利范围第7项之方法，复包括以第二收集槽接收来自该第一收集槽之低重氧及氘含量的水，该步骤包括降低该容槽之温度至室温以及加热该第一收集槽使该第一收集槽内的水被蒸馏至该第二收集槽中，其中，蒸馏出该第一收集槽之水体积不超过该第一收集槽内之水的50%。如申请专利范围第9项之方法，复包括第二缓冲槽，以连接该第一收集槽与第二收集槽。如申请专利范围第7项之方法，系于45至60mbar之装置压力及49至52℃之该容槽温度进行蒸馏。如申请专利范围第11项之方法，系控制该第一收集槽之温度为0至5℃。如申请专利范围第9项之方法，在以该第二收集槽接收来自该第一收集槽之水的步骤时，系降低该容槽温度至室温，并加热该第一收集槽至50至60℃。如申请专利范围第13项之方法，其中，该第二收集槽之温度为0至5℃。如申请专利范围第7至14项中任一项之方法，系于惰性气体环境下进行蒸馏。 |
