SEMI-CONDUCTOR COMPONENT COMPRISING MICRO-BRIDGES FOR ADJUSTING A TENSILE STRAIN STATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

摘要

Die Erfindung ermöglicht das Einstellen eines Zugdehnungszustandes in Halbleiterkomponenten, ohne die Probleme des jetzigen Stands der Technik. Dazu wird eine vorverspannte (Zugdehnung)-Schicht auf einem Substrat aufgebracht (Figur 1, (A)). In diese Schichten werden Brückenstrukturen (Figur 1, (B)) mittels Lithographie und Ätzverfahren eingebracht. Diese Brücken sind an beiden Seiten mit der Schicht verbunden, und somit durchgängig. Ihre geometrische Struktur ist durch die Lithographie und durch das Ätzen charakterisierten Fenster (Figur 1, (C)) in der Schicht bestimmt. Die Brücken weisen eine Querschnittsmodulation auf. Wenn das Substrat selektiv geätzt wird, wird durch die Fenster die Brücke unterätzt. Die geometrische Strukturierung des Querschnitts (Figur 1, (D)) bewirkt eine Neuverteilung der ursprünglich homogenen Dehnung, sobald die auf diese Weise strukturierten Brücken vom Substrat gelöst werden. Dabei entspannen sich die Brückenteile mit großem Querschnitt auf Kosten der Teile mit kleinerem Querschnitt, in denen die Vorverspannung erhöht wird. Es ist zu beachten, dass nur Multiplikation von ursprünglich in der Probe vorhandenen Spannungen (resp. Dehnungen) möglich ist. Der Multiplikationsfaktor ist bestimmt durch Längen, Breiten und Tiefen, respektive deren Verhältnisse. Effektiv erfährt die Brücke eine Dehnung- resp. Spannungsmodulation durch Querschnittsmodulation, wobei lokale Entspannung und lokale Verspannungen aus der homogenen und "globalen" Vorverspannung resultieren (Figur 2). Beliebige lokale Erhöhungen und Erniedrigungen der Vorverspannung sind möglich, und das Modulationsprofil der Dehnung entlang der Brücke hängt nur von der Vorverspannung, der Geometrie und des Grades der Unterätzung ab.