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Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers, wonach: ein schneller thermischer Anlassprozess (RTA) an einem Siliziumwafer mit einer oberen Oberfläche und einer Bodenfläche in einer Atmosphäre einer Gasmischung durchgeführt wird, die ein Gas enthält, welches eine Gitterloch-Injektionswirkung besitzt, und ein Gas enthält, welches eine Zwischengitterplatz-Silizium-Injektionswirkung an der oberen Oberfläche und der Bodenfläche des Siliziumwafers besitzt, und wobei der Prozess zwischen etwa 1100°C und etwa 1120°C durchgeführt wird, um Keimbildungszentren zu erzeugen, die als Sauerstoffabscheidungs-Wachstums-Stellen während der nachfolgenden Wärmebehandlung dienen und zwar in einem Keimzentrums-Konzentrationsprofil von der oberen Oberfläche zur Bodenfläche des Wafers hin, wobei das Keimzentrums-Konzentrationsprofil folgendes aufweist: eine erste und eine zweite Spitze in einer ersten und einer zweiten vorbestimmten Tiefe jeweils von der oberen Oberfläche und der Bodenfläche des Wafers aus; eine Zone mit einer vorbestimmten Keimzentrumskonzentration, die niedriger liegt als eine kritische Konzentration und zwar zwischen der oberen Oberfläche des Wafers und der ersten Spitze und... |
