一种FS-IGBT器件的制备方法

摘要

一种FS-IGBT器件的制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明使用衬底上进行N型杂质注入形成场截止层，然后生长外延层，制作正面图形，然后背部减薄，背部P型集电区注入并退火，背部金属化的方法来制作场截止型晶体管，可以使场截止层杂质充分激活。此外，通过控制热预算及背部减薄的位置，本方法可以在场截止层与P型集电区之间引入N型过渡区，提高器件性能。

主权项

一种FS‑IGBT器件的制备方法，包括以下步骤：步骤1：选取半导体衬底；步骤2：去除半导体衬底表面氧化层并注入N型杂质并高温推结形成场截止层；步骤3：生长外延层；步骤4：在外延层中制作IGBT器件所需的正面结构；步骤5：半导体衬底背面减薄；步骤6：半导体衬底背面注入P型杂质并高温推结形成P型集电区；步骤7：背部金属化形成金属化集电极。