| 发明名称 | 具有超结的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有超结的半导体装置及其制造方法，其中在由N型柱和P型柱实现的半导体装置中进一步精确地控制超结的电荷均衡。所述半导体装置包括半导体衬底；和阻挡层，所述阻挡层包括第一导电型柱和第二导电型柱，所述第一导电型柱和所述第二导电型柱在所述半导体衬底上在垂直方向延伸，且在水平方向交替排列，其中，在所述阻挡层中，第一导电型掺杂物的浓度分布在所述水平方向是均匀的，且所述第一导电型掺杂物的所述浓度分布在垂直方向变化。 | ||
| 申请公布号 | CN102800701A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210076664.7 | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 快捷韩国半导体有限公司 | 发明人 | 李在吉;金镇明;李光远;金耕德;张浩铁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种具有超结的半导体装置，所述半导体装置包括：半导体衬底；和阻挡层，所述阻挡层包括第一导电型柱和第二导电型柱，所述第一导电型柱和所述第二导电型柱在所述半导体衬底上在垂直方向延伸，且在水平方向交替排列，其中，在所述阻挡层中，第一导电型掺杂物的浓度分布在所述水平方向是均匀的，且所述第一导电型掺杂物的所述浓度分布在垂直方向变化。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道富川市 | ||