发明名称 |
生长蓝宝石单晶晶棒用生长室 |
摘要 |
生长蓝宝石单晶晶棒用生长室。作为一种新型的半导体材料,蓝宝石以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重要的半导体材料。一种生长蓝宝石单晶晶棒用生长室,其组成包括:带有底座体(1)的炉体(2),所述的炉体装有氧化铝空心砖(3),所述的氧化铝空心砖连接隔热屏,所述的隔热屏连接保温筒焊合(7),钨棒(8)插入所述的隔热屏和所述的氧化铝空心砖内,所述的钨棒连接钨盘(9),所述的钨盘连接坩埚(10),所述的隔热屏上端连接大盖(11),所述的炉体上端连接小盖(12)。本实用新型用于蓝宝石单晶晶棒生长。 |
申请公布号 |
CN202558972U |
申请公布日期 |
2012.11.28 |
申请号 |
CN201220180066.X |
申请日期 |
2012.04.26 |
申请人 |
哈尔滨晶石光电技术有限公司 |
发明人 |
石连升;徐雳 |
分类号 |
C30B29/20(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨东方专利事务所 23118 |
代理人 |
陈晓光 |
主权项 |
一种生长蓝宝石单晶晶棒用生长室,其组成包括:带有底座体的炉体,其特征是: 所述的炉体装有氧化铝空心砖,所述的氧化铝空心砖连接隔热屏,所述的隔热屏连接保温筒焊合,钨棒插入所述的隔热屏和所述的氧化铝空心砖内, 所述的钨棒连接钨盘, 所述的钨盘连接坩埚, 所述的隔热屏上端连接大盖,所述的炉体上端连接小盖。 |
地址 |
150010 黑龙江省哈尔滨市高新区迎宾路集中区东湖街北侧秦岭路西200米 |