发明名称 单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构
摘要 本实用新型涉及一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构,所述结构包括基岛(1)、引脚(2)、第一芯片(4)和第二芯片(6),所述第一芯片倒装于基岛正面和引脚正面,所述第二芯片设置于第一芯片上,所述第二芯片正面与引脚正面之间用金属线(7)相连接,所述基岛、引脚、第一芯片、第二芯片和金属线外均包封有塑封料(8),所述引脚背面的塑封料上开设有小孔(9),所述小孔内设置有金属球(11),所述引脚与引脚之间跨接有无源器件(12),所述引脚有多圈。本实用新型的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。
申请公布号 CN202564226U 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201220204386.4 申请日期 2012.05.09
申请人 江苏长电科技股份有限公司 发明人 王新潮;李维平;梁志忠
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人 唐纫兰
主权项 一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构,其特征在于它包括基岛(1)、引脚(2)、第一芯片(4)和第二芯片(6),所述第一芯片(4)倒装于基岛(1)正面和引脚(2)正面,所述第一芯片(4)底部与基岛(1)和引脚(2)正面之间设置有底部填充胶(3),所述第二芯片(6)通过导电或不导电粘结物质(5)设置于第一芯片(4)上,所述第二芯片(6)正面与引脚(2)正面之间用金属线(7)相连接,所述基岛(1)外围的区域、基岛(1)和引脚(2)之间的区域、引脚(2)与引脚(2)之间的区域、基岛(1)和引脚(2)上部的区域、基岛(1)和引脚(2)下部的区域以及第一芯片(4)、第二芯片(6)和金属线(7)外均包封有塑封料(8),所述引脚(2)背面的塑封料(8)上开设有小孔(9),所述小孔(9)与引脚(2)背面相连通,所述小孔(9)内设置有金属球(11),所述金属球(11)与引脚(2)背面相接触,所述引脚(2)与引脚(2)之间跨接有无源器件(12),所述无源器件(12)跨接于引脚(2)正面与引脚(2)正面之间或跨接于引脚(2)背面与引脚(2)背面之间,所述引脚(2)有多圈。
地址 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号