| 发明名称 | 脉冲式等离子体蚀刻方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种脉冲式等离子体蚀刻方法及装置，应用于产生较少沟壁内凹的沟槽结构。该脉冲式等离子体蚀刻装置包括一容置腔、一上电极板、一下电极板、一气体供应槽、一第一超高射频电源供应器、一射频偏压电源供应器以及一脉冲模块。当该脉冲模块提供一超高频电压于该上电极板及该下电极板之间时，一超高频电压则换接至关闭状态，此时大量的电子穿过等离子体并到达基板而于关闭状态时期中和大量的正电离子。本发明的脉冲式等离子体蚀刻方法及装置，能够减少沟槽结构的侧壁内凹或扭弯。 | ||
| 申请公布号 | CN102800562A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201110196666.5 | 申请日期 | 2011.07.14 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林智清;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 冯志云;郑特强 |
| 主权项 | 一种脉冲式等离子体蚀刻装置(200)，其特征在于，包括：一容置腔(210)，包括一上壁(211)及一下壁(212)，其中一处理室(213)由该上壁(211)及该下壁(212)所界定；一上电极板(220)，设置于该上壁(211)上；一下电极板(230)，设置于该下壁(212)上；一气体供应槽(240)，连接至该处理室(213)并导引一处理气体进入该处理室(213)；一第一超高射频电源供应器(260)，电性连接至该上电极板(220)；一射频偏压电源供应器(280)，电性连接至该下电极板(230)；以及一脉冲模块(300)，电性连接至该射频偏压电源供应器(280)并控制该射频偏压电源供应器(280)以不连续的方式供应一超高频电压介于该上电极板(220)及该下电极板(230)之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||