| 发明名称 | SONOS器件单元 | ||
| 摘要 | 根据本发明的SONOS器件单元包括：源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极之间形成有沟槽，ONO结构布置在所述源极和所述漏极之间，且所述ONO结构布置在所述沟槽的侧部和底部，并且所述栅极布置在所述ONO结构上，并且所述栅极填充了所述沟槽。本发明采用沟槽结构形成SONOS器件单元的沟道，这样可以利用场致增强隧穿效应，降低操作电压，提高编程和擦除速度，并且可以在有限面积、尺寸下获得足够的沟道长度，进一步可以提高SONOS器件单元的微缩能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102800677A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210009229.2 | 申请日期 | 2012.01.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 宗登刚;席华萍 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种SONOS器件单元，其特征在于包括：源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极之间形成有沟槽，ONO结构布置在所述源极和所述漏极之间，且所述ONO结构布置在所述沟槽的侧部和底部，并且所述栅极布置在所述ONO结构上，并且所述栅极填充了所述沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||