| 发明名称 | 泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法，解决现有引晶过程复杂，且引出的晶体常常会出现云雾状气泡、开裂、位错、双晶的问题。本发明主要由以下步骤组成：（1）将直径为10～20mm籽晶的下端伸入融化的氧化铝中，籽晶微熔后，晶转10～30min使籽晶的下端生成晶体；（2）向上提拉籽晶2～10mm后，晶转10～30min；（3）重复步骤（2）3～10次；（4）向上提拉籽晶2～10mm后，晶转使晶体直径增加1～10mm；（5）重复步骤（4），当晶体的高度达到20～50mm时停止。本发明能够有效地避免籽晶内部出现云雾状气泡、开裂、位错、双晶的现象，从而大大提高蓝宝石晶体质量；本发明具有操作简单、成功率高、可生长出大尺寸光学级蓝宝石晶体的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102797033A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210289114.3 | 申请日期 | 2012.08.15 |
| 申请人 | 四川欣蓝光电科技有限公司 | 发明人 | 张会选;王先进;胡海平;杜刚;程兴发 |
| 分类号 | C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 主分类号 | C30B17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人 | 成实 |
| 主权项 | 泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法，其特征在于，主要由以下步骤组成：（1）将直径为10～20mm籽晶的下端伸入融化的氧化铝中，籽晶微熔后，晶转10～30min使籽晶的下端生成晶体；（2）向上提拉籽晶2～10mm后，晶转10～30min；（3）重复步骤（2）3～10次；（4）向上提拉籽晶2～10mm后，晶转使晶体直径增加1～10mm； （5）重复步骤（4），当晶体的高度达到20～50mm时停止。 | ||
| 地址 | 620599 四川省眉山市仁寿县文林镇工业集中区 | ||