| 发明名称 | 压电薄膜器件和压电薄膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102804436A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201180013990.7 | 申请日期 | 2011.03.24 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 柴田宪治;末永和史;渡边和俊;野本明;堀切文正 |
| 分类号 | H01L41/18(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L41/08(2006.01)I;H01L41/09(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I;H01L41/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种压电薄膜器件，其具有基板和设置于所述基板上的用组成式(K1‑xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜，所述压电薄膜的碳浓度为2×1019/cm3以下。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||