| 发明名称 | 用于锡酸镉透明导电氧化物的氮化硅扩散阻挡层 | ||
| 摘要 | 一种光伏器件可包括阻挡层和邻近于基底的透明导电氧化物层，阻挡层可包括含硅材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102804391A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201080032601.0 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 第一太阳能有限公司 | 发明人 | 斯科特·米尔斯;戴尔·罗伯茨;赵志波;杨宇 |
| 分类号 | H01L31/0264(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0264(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强 |
| 主权项 | 一种光伏器件，所述光伏器件包括：透明导电氧化物层，邻近于基底，透明导电氧化物层包括锡酸镉；阻挡层，位于基底与透明导电氧化物层之间，阻挡层包括含硅材料；半导体双层，邻近于透明导电氧化物层，半导体双层包括邻近于半导体窗口层的半导体吸收层；以及背接触件，邻近于半导体双层。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||