在晶圆上构造铜金属线的方法和铜的CMP方法

摘要

本发明公开了一种在晶圆上构造铜金属线的方法，包括如下步骤：在晶圆上表面沉积第一层间介质；在所述晶圆第一层间介质的上表面构造第二层间介质，所述第二层间介质的硬度小于第一层间介质的硬度；对第二层间介质和第一层间介质进行光刻定义出沟槽结构，沟槽结构的底部位于第一层间介质中；在所述晶圆上表面以及沟槽内壁依次沉积阻挡层，铜籽晶层；在所述晶圆上表面沉积铜，铜填充在所述沟槽中形成铜金属线；对所述晶圆进行化学机械抛光(CMP)至第一层间介质，使晶圆上表面平坦化。本发明还公开了一种铜的CMP方法。本发明方案构造出的铜金属线表面的凹陷程度比现有技术有所降低。

主权项

一种在晶圆上构造铜金属线的方法，包括如下步骤：在晶圆上表面沉积第一层间介质；在所述晶圆第一层间介质的上表面构造第二层间介质，所述第二层间介质的硬度小于第一层间介质的硬度；对第二层间介质和第一层间介质进行光刻定义出沟槽结构，沟槽结构的底部位于第一层间介质中；在所述晶圆上表面以及沟槽内壁依次沉积阻挡层，铜籽晶层；在所述晶圆上表面沉积铜，铜填充在所述沟槽中形成铜金属线；对所述晶圆进行化学机械抛光CMP至第一层间介质，使晶圆上表面平坦化，包括：在第一研磨垫上对所述晶圆进行粗加工研磨，研磨终点为铜在晶圆表面剩余的厚度达到预定值；在第二研磨垫上对所述晶圆进行精加工研磨以及过度抛光处理；在第三研磨垫上对所述晶圆进行研磨至第一层间介质。