发明名称 一种CVD还原炉电极及其绝缘装置
摘要 本实用新型公开一种CVD还原炉电极及其绝缘装置,电极为T形,在电极的中部有环槽,绝缘装置包括氮化硅瓷环,四氟绝缘套,四氟绝缘筒,氟橡胶O型圈,四氟垫片及绝缘纸。四氟绝缘套呈T形,套装在电极外并位于电极的T形凸台下方。四氟绝缘筒套装在电极外,其上端与四氟绝缘套下端呈承插连接结构。四氟绝缘套与四氟绝缘筒的连接处与电极中部的环槽相对应,环槽内缠绕有若干层绝缘纸。本实用新型可提高还原炉效率,降低工作强度,提高产品质量,提高安全系数,节约生产成本。
申请公布号 CN202558971U 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201220205976.9 申请日期 2012.05.09
申请人 特变电工新疆硅业有限公司 发明人 潘小龙;陈喜清;白冬松;杨磊
分类号 C30B28/14(2006.01)I;C01B33/021(2006.01)I 主分类号 C30B28/14(2006.01)I
代理机构 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人 刘洪京
主权项 一种CVD还原炉电极及其绝缘装置,其特征在于:电极为T形,在电极的中部有环槽,绝缘装置包括氮化硅瓷环,四氟绝缘套,四氟绝缘筒,氟橡胶O型圈,四氟垫片及绝缘纸,四氟绝缘套呈T形,套装在电极外并位于电极的T形凸台下方,四氟绝缘筒套装在电极外,其上端与四氟绝缘套下端呈承插连接结构,四氟绝缘套与四氟绝缘筒的连接处与电极中部的环槽相对应,环槽内缠绕有绝缘纸,氮化硅瓷环套装在四氟绝缘套外并位于四氟绝缘套的T形凸台下方,氮化硅瓷环上表面有两个内径不同的凸台,内侧凸台内径与四氟绝缘套的T形凸台外径相配合,外侧凸台的内径与电极的T形凸台外径相配合,在氮化硅瓷环下方有一层四氟垫片,氮化硅瓷环外侧中部有一凹槽,将氮化硅瓷环分为上下两部分,上下两部分的外径不同。
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