发明名称 镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法
摘要 一种镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体及其制备方法,属于单晶生长领域。该激光晶体采用提拉法生长,在晶体生长配方中初始原料为MgO,Yb2O3,Er2O3,Li2CO3和Nb2O5粉末,首先进行配料,混料和压料,接着进行块料烧结,然后放入提拉炉中进行生长,生长过程中遵循化料、下种、引晶、缩颈、放肩、等径生长、拉脱和退火步骤。最后对生长出来的晶体进行极化处理。本发明生长的镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体具有较长的荧光寿命,较大的吸收和发射截面。该晶体有望在全固态中红外波段激光器中应用。
申请公布号 CN102797038A 申请公布日期 2012.11.28
申请号 CN201210283677.1 申请日期 2012.08.10
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 张沛雄;杭寅;张连翰;戴根发;何明珠
分类号 C30B29/30(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 主分类号 C30B29/30(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种镁镱铒三掺杂铌酸锂激光晶体,其特征在于该晶体的分子式为:EraYbbMgcLi6‑2a‑3b‑3c‑5dNbdO3,其中a为Er3+的掺杂浓度,其取值范围为0.1~1.5mol%;b为Yb3+的掺杂浓度,其取值范围为0.1~3mol%;c为Mg2+的掺杂浓度,其取值范围为0.1~5mol%;6‑2a‑3b‑3c‑5d和d为Li+和Nb5+的摩尔量百分比,满足(6‑2a‑3b‑3c‑5d)/d=0.942~0.960。
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