一种以MgO为缓冲层的钛酸锶钡薄膜的制备方法

摘要

本发明属于电子材料领域，尤其涉及一种钛酸锶钡薄膜的制备方法。本发明提供一种钛酸锶钡薄膜的制备方法，包括如下步骤：a、配制MgO前驱体溶液；b、配制BaxSr1-xTiO3前驱体溶液，x=0.4~0.9；c、将基片清洗干净后烘干；d、在步骤c获得的基片上，使用MgO前驱体溶液进行一次以上的旋转涂覆，得到第一层薄膜；e、在步骤d获得的第一层薄膜上，使用BaxSr1-xTiO3前驱体溶液进行一次以上旋转涂覆；f、将步骤e得到的薄膜进行退火，即得钛酸锶钡薄膜。本发明制备的钛酸锶钡铁电薄膜具有较低的介电损耗和较高介电常数的特点。

主权项

一种钛酸锶钡薄膜的制备方法，包括如下步骤：a、配制MgO前驱体溶液；b、配制BaxSr1‑xTiO3前驱体溶液，x=0.4~0.9；c、将基片清洗干净后烘干；d、在步骤c获得的基片上，使用MgO前驱体溶液进行一次以上的旋转涂覆，得到第一层薄膜；e、在步骤d获得的第一层薄膜上，使用BaxSr1‑xTiO3前驱体溶液进行一次以上旋转涂覆；f、将步骤e得到的薄膜进行退火，即得钛酸锶钡薄膜。