| 发明名称 | 后道金属互连层寄生电容统计模型的获取方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种后道金属互连层寄生电容统计模型的获取方法，包括：采用主成分分析法，将相关的N层金属互连层的单层耦合电容的测量统计数据转化为M个独立不相关的变量，并提取所述M个独立不相关的变量的后道工艺参数及其统计分布，并获得正交映射矩阵及特征值，根据所述M个独立不相关的变量的后道工艺参数及其统计分布、以及正交映射矩阵及特征值，获取能够反映相关的各层金属互连层的耦合电容相关性以及各金属互连层的后道工艺参数统计分布的后道金属互连层寄生电容统计模型。 | ||
| 申请公布号 | CN102799732A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201210249620.X | 申请日期 | 2012.07.18 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 任铮;胡少坚;周伟;陈寿面;赵宇航 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种后道金属互连层寄生电容统计模型的获取方法，其特征在于，包括：采用主成分分析法，将相关的N层金属互连层的单层耦合电容的测量统计数据转化为M个独立不相关的变量，并提取所述M个独立不相关的变量的后道工艺参数及其统计分布，并获得正交映射矩阵及特征值，根据所述M个独立不相关的变量的后道工艺参数及其统计分布、以及正交映射矩阵及特征值，获取能够反映相关的各层金属互连层的耦合电容相关性以及各金属互连层的后道工艺参数统计分布的后道金属互连层寄生电容统计模型。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||