| 发明名称 | 栅极结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅极结构的形成方法，该方法包括：提供一晶圆，在晶圆的衬底上形成栅氧化层后，采用沉积工艺在栅氧化层之上沉积多晶硅层，其中，多晶硅层的高度为预设栅极高度的90％至95％；采用沉积工艺在多晶硅层之上沉积非晶硅层，其中，非晶硅层的高度为预设栅极高度的5％至10％；采用离子注入工艺对多晶硅层和非晶硅层进行掺杂；对非晶硅层、多晶硅层和栅氧化层进行蚀刻，形成栅极结构。该方法能够提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102064099B | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN200910199217.9 | 申请日期 | 2009.11.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种栅极结构的形成方法，提供一晶圆，在晶圆的衬底上形成栅氧化层后，其特征在于，该方法包括：采用沉积工艺在栅氧化层之上沉积多晶硅层，其中，多晶硅层的高度为预设栅极高度的90％至95％；采用沉积工艺在多晶硅层之上沉积非晶硅层，所述沉积非晶硅层时的温度为540℃至550℃，其中，非晶硅层的高度为预设栅极高度的5％至10％；采用离子注入工艺对多晶硅层和非晶硅层进行掺杂；对非晶硅层、多晶硅层和栅氧化层进行蚀刻，形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||