双大马士革结构介电质膜刻蚀成型工艺的方法

摘要

一种双大马士革结构介电质膜刻蚀成型工艺的方法，包括：执行步骤S1：提供介质材料衬底，并在所述介质材料衬底上形成所述介电质膜；执行步骤S2：在所述介电质膜的上覆层之异于所述介质材料衬底的表面沉涂覆第一光阻，并曝光、显影形成所述接触孔图案，进而通过刻蚀成型工艺制备所述接触孔；执行步骤S3：在具有所述接触孔的介电质膜上涂布第二光阻；执行步骤S4：在所述第二光阻上涂覆第三光阻，并曝光、显影形成所述沟槽图案，进而通过刻蚀成型工艺制备所述沟槽。通过本发明所述双大马士革结构介电质膜刻蚀成型工艺的方法不仅可以提高设备产能，减少设备耗损，而且优化生产工艺，提高生产效率，降低生产成本。

主权项

一种双大马士革结构介电质膜刻蚀成型工艺的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供介质材料衬底，并在所述介质材料衬底上形成所述介电质膜，所述介电质膜自所述介质材料衬底向外依次包括低介电常数薄膜、介质缓冲层、上覆层；执行步骤S2：在所述介电质膜的上覆层之异于所述介质材料衬底的表面沉涂覆第一光阻，并曝光、显影形成所述接触孔图案，进而通过刻蚀成型工艺制备所述接触孔；执行步骤S3：在具有所述接触孔的介电质膜上涂布第二光阻；执行步骤S4：在所述第二光阻上涂覆第三光阻，并曝光、显影形成所述沟槽图案，进而通过刻蚀成型工艺制备所述沟槽。