| 发明名称 | 导电通孔结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102800643A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201110324369.4 | 申请日期 | 2011.10.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张国钦;谢玉宸 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上方的接触焊盘；在所述衬底上方延伸并在所述接触焊盘上方具有开口的钝化层，所述开口具有第一宽度；在所述开口内的导电通孔；具有完全覆盖所述导电通孔的第二宽度的导电柱，其中所述第一宽度与所述第二宽度的比值是约0.15至0.55。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||