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一种肖特基二极管的制备工艺，其特征是：包括如下制备步骤：a、工艺基底：所述工艺基底包括硅衬底（100）、场区二氧化硅（101）、硅化钛（102）、第一介质（103）、第二介质（104）及钨塞（105）；（a‑1）所述场区二氧化硅（101）形成在硅衬底（100）上；（a‑2）所述硅化钛（102）通过钛和硅衬底反应形成，与硅衬底（100）之间为欧姆接触，分别形成在场区二氧化硅（101）两边，并与场区二氧化硅（101）接触；（a‑3）所述第一介质（103）淀积形成在场区二氧化硅（101）上方；（a‑4）所述第二介质（104）淀积形成在所述第一介质（103）上方； （a‑5）所述钨塞（105）与场区二氧化硅（101）两边的硅化钛（102）接触，所述钨塞（105）和硅衬底（100）为欧姆接触；b、涂布第一光刻胶：所述钨塞（105）及第二介质（104）的上方涂布光刻胶，通过曝光和显影，去除肖特基孔区上的光刻胶，保留两边钨塞（105）上方的第一光刻胶（106）；c、热坚膜：固化光刻胶，腐蚀去除肖特基孔区上的第一介质（103）、第二介质（104）和场区二氧化硅（101），使肖特基孔区对应硅衬底（100）表面暴露；所述的热坚膜温度在120～150℃，热坚膜时间30min； d、去除钨塞（105）上方的第一光刻胶（106），采用二号液清洗；再在硅衬底（100）表面上方淀积一层金属钛（107），所述金属钛（107）上方淀积一层金属氮化钛（108），经退火处理，所述金属钛（107）和硅衬底（100）通过化学反应形成肖特基硅化物（109）；所述退火温度为560～670℃；所述退火时间30秒；e、淀积金属导电层（110），所述金属导电层（110）淀积在氮化钛（108）上方；所述的金属导电层（110）将肖特基正极金属钛（107）、金属氮化钛（108）、将肖特基硅化物（109）引出，同时硅化钛（102）、钨塞（105）将肖特基二极管的负极引出；f、涂布第二光刻胶（111），在金属导电层（110）表层涂布第二光刻胶（111），并通过曝光和显影，去除钨塞（105）和肖特基孔外的光刻胶；g、腐蚀金属导电层（110）、金属氮化钛（108）及金属钛（107），无第二光刻胶（111）位置上的金属导电层（110）、金属氮化钛（108）和金属钛（107）被腐蚀去除，露出第二介质（104）；h、去除钨塞（105）和肖特基区上的第二光刻胶（111），经清洗去除第二光刻胶（111），完成肖特基二极管的制备。 |
