| 摘要 |
Ein Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors umfasst das Bilden eines Gate-Stapels, eines Abstandhalters in Nachbarschaft zu gegenüber liegenden Seiten des Gate-Stapels, einer Silicid-Source-Zone und einer Silicid-Drain-Zone auf gegenüberliegenden Seiten des Abstandhalters, das epitaxiale Anwachsenlassen von Silicium auf der Source-Zone und der Drain-Zone; das Bilden einer Deckschicht auf dem Gate-Stapel und dem Abstandhalter, das Entfernen eines Teils der Deckschicht, um einen Teil der Hartmaskenschicht frei zu legen, das Entfernen der frei liegenden Teile der Hartmaskenschicht, um eine Siliciumschicht des Gate-Stapels frei zu legen, das Entfernen frei liegenden Siliciums, um einen Teil einer Metallschicht des Gate-Stapels, die Source-Zone und die Drain-Zone frei zu legen; und das Aufbringen eines leitfähigen Materials auf die Metallschicht des Gate-Stapels, die Silicid-Source-Zone und die Silicid-Drain-Zone. |
