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发明名称 TRENCHED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20120127677(A) 申请公布日期 2012.11.22
申请号 KR20127028360 申请日期 2006.04.04
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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