| 主权项 |
一种埋置电缆沟之方法，其系在具有电缆沟之基体上，涂布由胺化合物与氢化铝之错合物及有机溶剂所成之埋置电缆沟用组成物，接着藉由加热及/或照射光，在该电缆沟内埋置铝之埋置电缆沟之方法，其特征在于前述具有电缆沟之基体，为在第一压力下预先涂布含有至少一种选自钛、钯及铝所成群之化合物(但胺化合物与氢化铝之错合物除外)之形成基底膜用组成物后，保持在相对于前述第一压力为1~70%之压力的第二压力下，接着经加热者。如申请专利范围第1项之方法，其中前述第二压力为前述第一压力之10~40%的压力。如申请专利范围第1或2项之方法，其中该埋置电缆沟用组成物尚含有钛化合物。如申请专利范围第1或2项之方法，其中含有电缆沟之基体，具有使电缆沟之深度除以电缆沟之表面开口部之最小距离之值为3以上之电缆沟。 |
