| 主权项 |
一种白光发光装置，其包括：一发光二极体晶片，其包括一基底及一位于基底之发光结构，该发光结构包括一第一型半导体层、一与该第一型半导体层导电类型相反之第二型半导体层以及一位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的活性层，该第一型半导体层、该活性层及该第二型半导体层沿远离该基底之方向排列，该基底的下表面与该第一型半导体的上表面接触且覆盖该上表面，该基底上形成有至少一贯穿该基底的凹槽以暴露出该第一型半导体层的部分该上表面，该发光二极体晶片具有复数个侧面；一萤光物质层，其配置于该发光二极体晶片之该基底的该至少一凹槽内，用于波长转换以形成一白光；以及一反射层，其形成于该发光二极体晶片之该复数个侧面上以环绕该发光二极体晶片。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该至少一凹槽系为锥形凹槽，其邻近该第一型半导体层之开口小于其远离该第一型半导体层之开口。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该至少一凹槽之深度小于或等于400微米。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该至少一凹槽之邻近该第一型半导体层的开口之面积小于该发光二极体晶片之该第一型半导体之邻近该基底的表面之面积。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该萤光物质层填满该至少一凹槽，且其远离该第一型半导体层之表面系为一平面。如申请专利范围第5项所述之白光发光装置，其中该萤光物质层为一固化之萤光物质胶体。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该反射层之材质为金属或介电材料。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该第一型半导体层之位于该至少一凹槽位置之暴露部分设置有一可透光之电流扩散层。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该基底之材质系为半导体或透光绝缘体。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该基底之材质为金属或合金。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该发光二极体晶片所发出之光的波长为紫外光至绿光。如申请专利范围第1项所述之白光发光装置，其中该第一型半导体层、活性层及第二型半导体层分别由氮化物半导体材料制成。一种白光发光装置之制作方法，其包括步骤：提供一发光二极体晶片，其包括一基底及一形成于该基底上之一发光结构，该发光结构包括一第一型半导体层、一与该第一型半导体层导电类型相反之第二型半导体层以及一位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的活性层，该第一型半导体层、该活性层及该第二型半导体层沿远离该基底之方向排列，该发光二极体晶片具有复数个侧面，该基底的下表面与该第一型半导体的上表面接触且覆盖该上表面；于该发光二极体晶片之该基底上形成至少一贯穿该基底的凹槽且暴露出该第一型半导体层的部分该上表面；于该至少一凹槽内形成一萤光物质层；以及于该发光二极体晶片之该复数个侧面上形成一反射层。如申请专利范围第13项所述之白光发光装置之制作方法，其中于该至少一凹槽内形成该萤光物质层之步骤包括以下分步骤：于该至少一凹槽内充填并布满一萤光物质胶体；去除充填后多余之萤光物质胶体以使该萤光物质胶体之远离该第一型半导体之表面为一平面；以及固化该萤光物质胶体以形成该萤光物质层。如申请专利范围第13项所述之白光发光装置之制作方法，其中该反射层系藉由光学镀膜之方式形成于该发光二极体晶片之该复数个侧面上。如申请专利范围第13项所述之白光发光装置之制作方法，其中于该基底上形成该至少一凹槽之前，还包括步骤：将该发光二极体晶片之与其该基底相对的一侧与一载板接合或黏贴于一起。如申请专利范围第13项所述之白光发光装置之制作方法，其中于形成该萤光物质层之前还包括步骤：于该第一型半导体层之位于该至少一凹槽位置的暴露部分形成一可透光之电流扩散层。如申请专利范围第13项所述之白光发光装置之制作方法，其中该至少一凹槽系藉由蚀刻、机械加工或雷射加工方法形成。 |
