半导体装置、具有半导体装置之液晶显示装置、半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供不由氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜离子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al之薄膜之高密接性障蔽膜(37)、与铜箔膜(38)构成电极层，于氧化物半导体或氧化物薄膜上使高密接性障蔽膜(37)接触。高密接性障蔽膜(37)，在铜、镁、与铝之合计原子数为100at%(原子百分比)时，含有镁0.5at%以上5at%以下，含有铝5at%以上15at%以下的范围可兼顾密接性与障蔽性。源极电极层(51)与汲极电极层(52)接触于氧化物半导体层(34)，所以此电极层为合适的，亦可将氧化物所构成的停止层(36)配置于电极层的下层。

主权项

一种半导体装置，其特征系具有氧化物半导体层、及与前述氧化物半导体层接触的电极层之半导体元件，前述电极层，系由接触于前述氧化物半导体层的高密接性障蔽膜，与接触于前述高密接性障蔽膜的铜薄膜所构成，前述高密接性障蔽膜，含有铜、镁与铝，在铜、镁、与铝之合计原子数为100at%(原子百分比)时，镁为0.5at%以上5at%以下，铝为5at%以上15at%以下。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中前述电极层，具有相互分离的源极电极层与汲极电极层，前述源极电极层与前述汲极电极层，分别与前述氧化物半导体层之源极区域与汲极区域接触，在前述源极区域与前述汲极区域之间的通道区域，系使闸极绝缘膜挟着间隔而被配置着闸极电极层的电晶体。如申请专利范围第2项之半导体装置，其中于前述氧化物半导体层上被配置由氧化物所构成的绝缘膜，前述源极电极层与前述汲极电极层，被配置于前述绝缘膜的表面，于被形成在前述源极区域上与前述汲极区域上的前述绝缘膜之连接孔的内周面，被配置着前述源极电极层与前述汲极电极层之高密接性障蔽膜。一种液晶显示装置，其特征为具有申请专利范围第1项至第3项之任一项之半导体装置、画素电极被配置于前述画素电极上的液晶、及位于前述液晶上的上部电极，前述画素电极被导电连接于前述电极层。一种半导体装置之制造方法，其特征系具有具源极区域与汲极区域的氧化物半导体层、及与前述氧化物半导体层接触的电极层之半导体元件，前述电极层，系由接触于前述氧化物半导体层的高密接性障蔽膜，与接触于前述高密接性障蔽膜的铜薄膜所构成，前述高密接性障蔽膜，含有铜、镁与铝，在铜、镁、与铝之合计原子数为100at%(原子百分比)时，镁为0.5at%以上5at%以下，铝为5at%以上15at%以下之半导体装置之制造方法，于前述氧化物半导体层的表面形成氧化物薄膜，部分除去前述氧化物薄膜而形成由前述氧化物薄膜所构成的停止层，在前述氧化物薄膜被除去的部分使前述氧化物半导体层露出，形成接触于前述停止层上，与前述源极区域与前述汲极区域被露出的前述氧化物半导体层的表面之前述高密接性障蔽膜，于前述高密接性障蔽膜上形成前述铜薄膜而形成前述电极层。一种半导体装置之制造方法，系具有具源极区域与汲极区域的氧化物半导体层、及与前述氧化物半导体层接触的电极层之半导体元件，前述电极层，系由接触于前述氧化物半导体层的高密接性障蔽膜，与接触于前述高密接性障蔽膜的铜薄膜所构成，前述高密接性障蔽膜，含有铜、镁与铝，在铜、镁、与铝之合计原子数为100at%(原子百分比)时，镁为0.5at%以上5at%以下，铝为5at%以上15at%以下之半导体装置之制造方法，于前述氧化物半导体层之前述源极区域与前述汲极区域之间的通道区域上形成闸极绝缘膜，在使前述氧化物半导体层之前述源极区域与前述汲极区域露出的状态，与前述源极区域与前述汲极区域接触而形成前述电极层之前述高密接性障蔽膜。