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一种含银金属欧姆接触电极，系包括：一欧姆接触电极，系由一镍(Ni)层、一锗(Ge)层、一银(Ag)层、一钯(Pd)层或铂(Pt)层、及一厚膜金属(Thick Metal)层所组成，并顺序堆叠在一n型III-V族化合物半导体层上经退火(Anneal)处理所形成之结构体，其中该银层与该锗层之厚度比例范围系介于Ag/Ge=7~8之间者。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该n型III-V族化合物半导体层系为砷化镓(GaAs)。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该镍层之厚度范围系介于1nm~20nm之间者。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该锗层之厚度范围系介于1nm~50nm之间者。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该银层之厚度范围系介于5nm~200nm之间者。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该钯层之厚度范围系介于20nm~200nm之间者。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该铂层之厚度范围系介于10nm~200nm之间者。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该退火处理之温度范围系介于300℃~500℃之间。依申请专利范围第1项所述之含银金属欧姆接触电极，其中，该n型III-V族化合物半导体层系可选自发光二极体、雷射二极体、太阳电池及电晶体任一者。 |
