用于半导体发光装置之底座

摘要

本发明系关于一种包括一底座及一半导体发光装置之装置，该半导体发光装置安装于处于一覆晶架构组态之该底座第一侧上之第一导电区域及第二导电区域上。该底座在其第二侧上具有第三导电区域及第四导电区域。利用该第三导电区域及该第四导电区域，不需使用导线接合件即可将该底座焊接至诸如板之结构上。藉由一第一导电层电连接该第一导电区域及该第三导电区域，藉由一第二导电层电连接该第二导电区域及该第四导电区域。该第一导电层及该第二导电层可安置于该底座之外部或该底座之中。

主权项

一种装置，其包含：半导体发光装置，其包含：一n型层；一p型层；一插入该n型层与该p型层之主动区域；一电连接至该n型层之n型接点；及一电连接至该p型层之p型接点；其中该n型接点及该p型接点形成于该半导体发光装置之一相同侧；及一底座，其包含：位于该底座之一第一侧上之第一导电区域及第二导电区域；位于该底座之一第二侧上之第三导电区域及第四导电区域；一半导体区域；及一绝缘区域，其中该半导体发光装置之该n型接点与该p型接点系电连接及物理连接至一覆晶构型之该底座的该第一导电区域及第二导电区域。如请求项1之装置，其中该第一导电区域及第二导电区域包含之材料系选自一由金、银、镍、铂及铜组成之群。如请求项1之装置，其中该第一导电区域及该第三导电区域藉由一第一导电层电连接，而该第二导电区域及该第四导电区域藉由一第二导电层电连接。如请求项3之装置，其中该第一导电层及该第二导电层系金属层。如请求项3之装置，其中该第一导电层及该第二导电层系高度掺杂之半导体层。如请求项3之装置，其中该第一导电层及该第二导电层位于该底座之外侧。如请求项3之装置，其中该第一导电层及该第二导电层安置于该底座之内。如请求项7之装置，其中该第一导电层及该第二导电层各个至少部分地包围该底座内半导体材料之一区域。如请求项7之装置，其中该第一导电层及该第二导电层包含铜。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置安装于形成于底座上之一井中。如请求项10之装置，其中该井之侧面及底部之至少一部分反射由该半导体发光装置发射之光。如请求项10之装置，其中至少部分地以光耦合材料填充该井。如请求项1之装置，其进一步包含形成于该半导体区域内之电路。如请求项1之装置，其中该绝缘区域包含玻璃。如请求项1之装置，其进一步包含：一板；及一将该板连接至该第三导电区域及该第四导电区域之焊料接合点。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置之面积大于约400×400 μm2。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置能够在至少50 A/cm2之电流密度下运作。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置之面积大于或等于约1×1 mm2。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置能够在大于或等于1 W之电功率消耗量下运作。如请求项1之装置，其中包括该第一导电区域及第二导电区域之该底座之一表面不存在导线接合衬垫。如请求项1之装置，其进一步包含一叠置于该半导体发光装置相对于该底座之一表面上的发光材料层。如请求项21之装置，其中该发光材料层叠置于该半导体发光装置之一侧表面上。如请求项1之装置，其中该第一导电区域、该第二导电区域、该第三导电区域及该第四导电区域各包含可焊接层。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置之面积小于约400×400 μm2。如请求项1之装置，其中该半导体发光装置能够在约5 mA与约100 mA之间的电流下运作。