超紫外线光罩、修复超紫外线光罩的方法以及修复包括至少一层之一系统中之相位缺陷的方法

摘要

一种超紫外线光罩，包括一基材、一反射多层结构、一相位差材料及一光罩材料。反射多层结构系位于基材之上。相位差材料位于反射多层结构之上，且位于基材之至少一第一部份之上。光罩材料位于多层结构之上，且位于基材之多个第二部分之上。光罩材料系对应于超紫外线光罩之多个光罩图样。

主权项

一种超紫外线光罩，包括：一基材；一反射多层结构，位于该基材之表面；一相位差材料，位于该反射多层结构之上，且位于该基材之至少一第一部份之上；以及一光罩材料，位于该反射多层结构之上，且位于该基材之复数个第二部分之上，该光罩材料系对应于该超紫外线光罩之复数个光罩图样，其中，该至少一第一部份系包括该基材之至少部分之一缺陷区，一暴露辐射之一相位差系由位于该反射多层结构之下或之中的一缺陷所引起，该相位差材料系补偿该相位差。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之厚度系小于或至多等于该光罩材料之厚度。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之厚度系小于或等于100奈米(nanometer，nm)。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之原料系相同于该光罩材料之原料；且其中该相位差材料之厚度系不等于该光罩材料之厚度。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之厚度于该至少一第一部份中呈现变化。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之厚度于该至少一第一部份中固定不变。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该至少一第一部份之一横向长度系小于或等于100奈米。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之吸收能力系低于或至多等于该光罩材料之吸收能力，该相位差材料之吸收能力系相关于该相位差材料之厚度。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之原料包括选自由锆、钼、铍、碳或二氧化矽所构成之群组其中之一。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料之吸收能力系低于该光罩材料之吸收能力，且/或该相位差材料之相位差能力系高于该光罩材料之相位差能力。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料包括由不同物质所形成之堆叠层。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该至少一第一部份之一横向长度系小于整个该缺陷区之一横向长度。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该至少一第一部份系为一环状结构。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该至少一第一部份系包括复数个第一部份，该些第一部份系位于该缺陷区之上；且其中位于该缺陷区之上的该些第一部份系形成对应于该缺陷的图样。如申请专利范围第14项所述之超紫外线光罩，其中位于该缺陷区上之不同之该些第一部份的该相位差材料具有不同之原料。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该相位差材料、该相位差材料之厚度及该至少一第一部份之横向长度系被决定，使得该反射多层结构所反射之该暴露辐射的该相位差系以一预定方法被补偿。如申请专利范围第1项所述之超紫外线光罩，其中该至少一第一部份系包括复数个第一部份，该些第一部份系位于该缺陷区之上；且其中，该相位差材料、该相位差材料之厚度及该些第一部份之横向长度与该些第一部份于该缺陷区上之配置位置系对应于每一个该些第一部份，使得该相位差以一预定方法被补偿。一种修复一超紫外线光罩的方法，该超紫外线光罩包括一基材、位于该基材上之一反射多层结构及至少一缺陷，该至少一缺陷系位于该反射多层结构之下或之中，该方法包括：决定该基材之一缺陷区之位置，一暴露辐射之一相位差系由该缺陷区之该至少一缺陷所引起；以及设置一相位差材料于该反射多层结构之上，该相位差材料系位于该基材之至少一第一部份之上，其中该至少一第一部份包括至少部分之该缺陷区，其中，该相位差材料系补偿该相位差。如申请专利范围第18项所述之方法，更包括：决定该缺陷区之横向长度及/或该相位差；以及选择该相位差材料之适当原料、适当厚度及适当位置，以于设置该相位差材料后，被反射之该暴露辐射的该相位差藉由一预定方法而受到影响。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该超紫外线光罩更包括一光罩材料位于该反射多层结构之上，且位于该基材之复数个第二部分之上，该光罩材料系对应于该超紫外线光罩之复数个光罩图样。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该相位差材料系利用一电子束感应气体注塑物质沈淀方法所产生。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该相位差材料系设置于该至少一第一部份中，并具有一固定厚度。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该相位差材料系设置于该至少一第一部份中，且该相位差材料之厚度从零变化至最大。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该相位差材料之厚度至多为100奈米。如申请专利范围第20项所述之方法，其中该相位差材料之厚度系小于或至多等于该光罩材料之厚度。如申请专利范围第20项所述之方法，其中该相位差材料之吸收能力系低于或至多等于该光罩材料之吸收能力，该相位差材料之吸收能力系相关于该相位差材料之厚度。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该相位差材料之原料包括选自由锆、钼、铍、碳或二氧化矽所构成之群组其中之一。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该相位差材料包括由不同物质所形成之堆叠层。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该至少一第一部份系包括复数个第一部份，该相位差材料系设置于位于该缺陷区之上之该些第一部份。如申请专利范围第29项所述之方法，其中该些第一部份系形成一特定图样，该特定图样系相关于该缺陷区。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该至少一第一部份系形成为一环状结构。如申请专利范围第18项所述之方法，更包括：于设置该相位差材料后，决定被该反射多层结构所反射之一辐射之一相位差，其中该辐射之该相位差系由该至少一缺陷所造成并受到该相位差材料影响；比较受影响之该辐射之该相位差及一预定相位差值；以及若受影响之该辐射之该相位差大于该预定相位差值，至少部分地移除并重新设置该相位差材料。如申请专利范围第18项所述之方法，更包括：于设置该相位差材料后，决定该反射多层结构所反射之一辐射之相位差，其中该相位差系由该至少一缺陷所造成并受到该相位差材料影响；比较受影响之该辐射之该相位差及一预定相位差值；以及若受影响之该辐射之该相位差大于该预定相位差值，设置另一相位差材料于该基材之相同之该至少一第一部份或另一至少一第一部份。一种修复一系统中之一相位缺陷的方法，该系统包括至少一层，其中该相位缺陷系由位于该层之上或位于该层内之一缺陷所引起，该方法包括：决定该系统之一缺陷区之位置，其中一暴露辐射之一相位差系由该缺陷区内之该缺陷所引起；以及设置一相位差材料于该系统之至少一第一部份之上，其中该至少一第一部份包括至少部分之该缺陷区，其中，该相位差材料系补偿该相位差。如申请专利范围第34项所述之方法，更包括：决定该缺陷区之一横向长度及/或由该系统所影响之一辐射之一相位差，其中该辐射之该相位差系由该缺陷所引起；以及选择该相位差材料之适当原料、适当厚度及适当位置，以于设置该相位差材料后，以一预定方法改变受影响之该辐射之该相位差。如申请专利范围第34项所述之方法，其中该系统系为一多层系统。