金属吸附装置及方法

摘要

本发明目的在于提供可将金属或金属有机化合物吸附至非晶矽薄膜上，俾以金属诱发结晶化方式使矽结晶化之装置及方法。本发明之金属吸附装置包含有供给含有金属之来源气体之来源气体供给部、供给辅助气体之辅助气体供给部、藉由前述来源气体与前述辅助气体之反应，使金属吸附至前述非晶矽上之室及藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中之至少1个，控制吸附至前述非晶矽之金属量之控制部。

主权项

一种金属吸附装置，系将金属吸附至非晶矽上，俾以金属诱发结晶化方式使矽结晶化之装置，且包含有：来源气体供给部，系供给含有金属之来源气体者；辅助气体供给部，系供给辅助气体者；室，系藉由前述来源气体与前述辅助气体之反应，使金属吸附至前述非晶矽上者；及控制部，系藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中至少1个，控制金属以覆盖率小于1之状态吸附至前述非晶矽上者。一种金属吸附装置，系将金属吸附至非晶矽上，俾以金属结晶化方式使矽结晶化者，且包含有：来源气体供给部，系供给含有金属之来源气体者；室，系使金属吸附至前述非晶矽上者；及控制部，系藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中至少1个，控制金属以覆盖率小于1之状态吸附至前述非晶矽上者。如申请专利范围第1或2项之金属吸附装置，其中前述来源气体含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu之其中任一个或二个以上。如申请专利范围第3项之金属吸附装置，其中前述来源气体为Ni(CP)2及Ni(dmamb)2之其中任一个。如申请专利范围第1项之金属吸附装置，其中前述辅助气体包含H2还原性气体。如申请专利范围第1或2项之金属吸附装置，其中前述吸附压力系藉调节从前述来源气体供给部供给之来源气体之流量、流入前述室之气体之总流量及从前述室排出之气体之总流量中之至少1个来控制。如申请专利范围第1或2项之金属吸附装置，其中前述吸附温度控制在常温至250℃之范围。一种金属吸附方法，系将金属吸附至非晶矽上，俾以金属诱发结晶化方式使矽结晶化者，且包含有以下步骤：将非晶矽配置于室内；使含有金属之来源气体流入前述室内；藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中之至少1个，将预定量之来源气体吸附至前述非晶矽上；从前述室排出未吸附至前述非晶矽上之来源气体；使辅助气体流入前述室内；及藉吸附至前述非晶矽上之来源气体及前述辅助气体反应，最后将金属以覆盖率小于1之状态吸附至前述非晶矽上。一种金属吸附方法，系将金属吸附至非晶矽上，俾以金属诱发结晶化方式使矽结晶化者，且包含有以下步骤：将非晶矽配置于室内；使含有金属之来源气体流入前述室内；及藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中之至少1个，将金属以覆盖率小于1之状态吸附至前述非晶矽上。如申请专利范围第8或9项之金属吸附方法，其中前述来源气体含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu之其中任一个或二个以上。如申请专利范围第10项之金属吸附方法，其中前述来源气体为Ni(CP)2及Ni(dmamb)2之其中任一个。如申请专利范围第8项之金属吸附方法，其中前述辅助气体包含H2还原性气体。如申请专利范围第8或9项之金属吸附方法，其中前述吸附压力系藉调节从前述来源气体供给部供给之来源气体之流量、流入前述室之气体之总流量及从前述室排出之气体之总流量中之至少1个来控制。如申请专利范围第8或9项之金属吸附方法，其中前述吸附温度控制在常温至250℃之范围。