多晶矽之制造方法

摘要

本发明提供一种可适用于LCD等平板显示器之TFT用多晶矽之制造方法。本发明之多晶矽之制造方法具有以下步骤：(a)将含有金属之来源气体供给至非晶矽上；(b)藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中之至少1个，将预定量之来源气体吸附至前述非晶矽上；(c)去除在前述(b)未吸附至前述非晶矽上之来源气体；(d)将辅助气体供给至吸附有前述来源气体之非晶矽上；(e)藉吸附至前述非晶矽上之来源气体与前述辅助气体反应，最后吸附预定量之金属至前述非晶矽上；及(f)将吸附有前述金属之非晶矽热处理。根据本发明，具有以下效果，即：可将吸附至非晶矽薄膜上之金属量适当且细微地调节，于以金属诱发结晶化方式使矽结晶化时，降低结晶化温度，且防止金属之污染。

主权项

一种多晶矽之制造方法，包含以下步骤：(a)将含有金属之来源气体供给至非晶矽上；(b)藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中之至少1者，而使预定量之来源气体吸附至前述非晶矽上；(c)去除在前述(b)中未被吸附至前述非晶矽上之来源气体；(d)将辅助气体供给至吸附有前述来源气体之非晶矽上；(e)藉由吸附至前述非晶矽上之来源气体与前述辅助气体发生反应，最后前述非晶矽上会吸附覆盖率小于1之金属；及(f)将吸附有前述金属之非晶矽予以热处理。一种多晶矽之制造方法，包含以下步骤：(a)将含有金属之来源气体供给至非晶矽上；(b)藉调节吸附压力、吸附时间及吸附温度中之至少1者，而使前述非晶矽上吸附覆盖率小于1之金属；(c)去除在前述(b)中未被吸附至前述非晶矽上之来源气体；及(d)将吸附有前述来源气体之非晶矽予以热处理。如申请专利范围第1或2项之多晶矽之制造方法，其中前述来源气体含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd及Cu中之任一者或二者以上。如申请专利范围第3项之多晶矽之制造方法，其中前述来源气体为Ni(cp)2及Ni(dmamb)2中之任一者。如申请专利范围第1项之多晶矽之制造方法，其中前述辅助气体包含H2之还原性气体。如申请专利范围第1或2项之多晶矽之制造方法，其中前述吸附温度系在常温至250℃之范围。如申请专利范围第1项之多晶矽之制造方法，其在前述(f)中，热处理温度为400至700℃，热处理时间为1至10小时。如申请专利范围第2项之多晶矽之制造方法，其在前述(d)中，热处理温度为400至700℃，热处理时间为1至10小时。