发明名称 贴片高压硅堆
摘要 本实用新型公开了一种贴片高压硅堆,包括设置在该贴片高压硅堆两侧的引线,所述贴片高压硅堆底部均匀开设与宽度方向平行的凹槽;贴片高压硅堆的底部凹槽为两个;贴片高压硅堆的两侧引线呈∏型设置。本实用新型采用防爬电墙设置,使得贴片高压硅堆的长度尺寸比轴向高压硅堆的长度尺寸少2mm,长度尺寸减少25%;由于采用引线成型工艺,可以在自动化生产线上使用,无需人工插件,降低了劳动强度,提高了工作效率,保证了产品质量。
申请公布号 CN202549833U 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201220039058.3 申请日期 2012.02.07
申请人 南通市通州区华昌电子有限公司 发明人 胡庆胜;潘璋
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 张惠忠
主权项 一种贴片高压硅堆,包括设置在该贴片高压硅堆两侧的引线,其特征在于:所述贴片高压硅堆底部均匀开设与宽度方向平行的凹槽。
地址 226371 江苏省南通市通州区金通公路1866号