一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件

摘要

本发明公开了一个击穿电压可以调整RF-LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。本发明通过调节场板上的电压，从而实现击穿电压能够根据所需要工作的频率进行动态的调整。当器件工作在较低的频率，需要提供较大的输出功率的时候，可以提高器件的击穿电压。当器件工作在较高的频率，需要提高截止频率来保证足够的增益的时候，可以降低器件的击穿电压。

主权项

一个击穿电压可以调整RF‑LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有氧化层，所述漏极包括漂移区，其特征在于：所述漂移区上设置有至少一个场板，所述场板和所述漂移区之间设置有绝缘层，所述场板和所述源极之间绝缘，所述场板的电压可以调节。