| 发明名称 | 半导体装置的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制作方法，首先提供设置有至少一栅极的基底，于该栅极旁形成至少一凹槽，进行第一选择性外延生长工艺，于该凹槽内形成第一外延层。随后进行蚀刻工艺，移除部分该第一外延层至暴露出该基底。进行第二选择性外延生长工艺，于该第一外延层上形成第二外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN101728267B | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN200810173000.6 | 申请日期 | 2008.10.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 廖晋毅;简金城 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制作方法，包含有以下步骤：提供基底，该基底上设置有至少一栅极；于该栅极旁形成至少一凹槽；进行第一选择性外延生长工艺，于该凹槽内形成第一外延层，该第一外延层的斜面与水平面具有第一夹角；进行蚀刻工艺，移除部分该第一外延层至暴露出该基底；以及进行第二选择性外延生长工艺，于该第一外延层上形成第二外延层，该第二外延层的斜面与水平面具有第二夹角，且该第二夹角大于该第一夹角。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||