发明名称 一种可调式多值输出的基准电压源
摘要 本发明公开了一种可调式多值输出的基准电压源,包括基准产生电路和基准电压输出电路,在基准产生电路和基准电压输出电路之间连接有启动电路和镜像电流源负反馈环路,所述的启动电路一端与基准产生电路连接,另一端与镜像电流源负反馈环路连接,镜像电流源负反馈环路的另一端与基准电压输出电路连接。本发明可调式多值输出的基准电压源具有电路功耗小、温漂小、电源抑制能力强的优点。本发明可调式多值输出的基准电压源使用镜像电流源负反馈环路取代高电压增益运放,使电路结构更简单,将由镜像电流源负反馈环路输出端接的源极跟随器提供双极型晶体管偏置电压的同时产生带隙基准电压,同时可以获得较小温度系数的输出电压值。
申请公布号 CN101840240B 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201010134831.X 申请日期 2010.03.26
申请人 东莞电子科技大学电子信息工程研究院;电子科技大学 发明人 王向展;杜江锋;宁宁;陈志
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 曹玉平
主权项 一种可调式多值输出的基准电压源,包括基准产生电路和基准电压输出电路,其特征在于:在基准产生电路和基准电压输出电路之间连接有启动电路和镜像电流源负反馈环路,所述的启动电路一端与基准产生电路连接,另一端与镜像电流源负反馈环路连接,镜像电流源负反馈环路的另一端与基准电压输出电路连接;所述的镜像电流源负反馈环路包括PMOS管MP5、MP6、NMOS管MN1、MN2,PMOS管MP5的栅极与基准产生电路连接,MP5的源极接VDD,MP5的漏极接到NMOS管MN2的漏极,NMOS管MN2的源极接地,NMOS管MN2的栅极接NMOS管MN1的栅极,NMOS管MN1的漏极接PMOS管MP6的漏极,PMOS管MP6的栅极与基准产生电路连接,PMOS管MP6源极接VDD,PMOS管MP6漏极与基准电压输出电路连接;所述的启动电路包括PMOS管MP3、MP4和双极型晶体管Q3、Q4,PMOS管MP3的源端接VDD,漏端和PMOS管MP4的源端相接,PMOS管MP3和MP4的栅极相接后接地,PMOS管MP4的漏端接到双极型晶体管Q4的集电极,双极型晶体管Q4的发射极接地,其集电极和基极短接同时接双极型晶体管Q3的基极,双极型晶体管Q3的发射极和集电极分别与基准产生电路连接;所述的基准电压输出电路为多值基准电压输出电路,它包括源极跟随器Q5、分压电阻R4、R5、R6,源极跟随器Q5的基极与镜像电流源负反馈 环路中的PMOS管MP6的漏极连接,Q5的集电极接VDD,发射极接电阻R6并引出基准电压V2输出端,电阻R6的另一端与电阻R5和基准产生电路连接,并在电阻R6与R5之间引出带隙基准电压VREF输出端,电阻R5的另一端与电阻R4连接,并在电阻R5与R4之间引出基准电压V1输出端,电阻R4的另一端接地。
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