| 发明名称 | 通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，包括芯片本体（1-1），芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1-1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2），在芯片源电极（2-1）、芯片栅电极（2-2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有线路层（4），以及在芯片通孔（1-2）内填充有线路层（4），且在芯片通孔（1-2）内填充的线路层（4）没有密闭芯片通孔（1-2），而是留有空腔的半填充结构，在芯片本体（1-1）的背面（1-3）设置与线路层（4）互联的背面金属层（7）。本发明可以提供具有高性能和高可靠性的封装结构，以及实现这种结构具有高生产效率、低封装成本的工艺方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102157408B | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201110033784.4 | 申请日期 | 2011.01.31 |
| 申请人 | 江阴长电先进封装有限公司 | 发明人 | 陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体（1‑1），其特征在于：所述芯片本体（1‑1）正面设置有芯片源电极（2‑1）和芯片栅电极（2‑2），芯片本体（1‑1）、芯片源电极（2‑1）和芯片栅电极（2‑2）正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1‑1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1‑2），在所述芯片源电极（2‑1）、芯片栅电极（2‑2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有线路层（4），以及在芯片通孔（1‑2）内填充有线路层（4），且在芯片通孔（1‑2）内填充的线路层（4）没有密闭芯片通孔（1‑2），而是留有空腔的半填充结构，而且线路层（4）直接与芯片通孔（1‑2）侧壁相连，之间无任何绝缘隔离层，在线路层（4）表面设置有线路表面保护层（5），在芯片本体（1‑1）正面的线路层（4）表面设置有焊球（6），在芯片本体（1‑1）的背面（1‑3）设置有背面金属层（7），且背面金属层（7）与线路层（4）互联。 | ||
| 地址 | 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 | ||