发明名称 |
金属抛光液和抛光方法 |
摘要 |
一种金属抛光液,其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光,所述金属抛光液包含:(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物;和(2)表面活性剂,其中在所述式(I)中,R<sup>1</sup>表示含1至4个碳原子的烷基,并且R<sup>2</sup>表示含1至4个碳原子的亚烷基。<img file="b2008100873553a00011.GIF" wi="696" he="149" /> |
申请公布号 |
CN101275057B |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN200810087355.3 |
申请日期 |
2008.03.21 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
山田彻;菊池信;稻叶正;松野孝洋;富贺敬充;高桥和敬 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
柳春琦 |
主权项 |
1.一种金属抛光液,其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光,所述金属抛光液包含:(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物;和(2)表面活性剂,<img file="FDA00001808293600011.GIF" wi="746" he="158" />其中,在所述式(I)中,R<sup>1</sup>表示含1至4个碳原子的烷基,并且R<sup>2</sup>表示含1至4个碳原子的亚烷基,其中所述表面活性剂是烷基二苯醚一磺酸或烷基二苯醚一磺酸盐与烷基二苯醚二磺酸或烷基二苯醚二磺酸盐的混合物。 |
地址 |
日本国东京都 |