| 发明名称 | 用于在基板上制造金属层的方法和器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于在基板上制造金属层的方法和器件。具体地，本发明提供了一种在半导体基板上制造金属层的方法。通过沉积金属颗粒在半导体基板上制造金属层。该金属颗粒包括由第一金属材料制成的核和包围该核的壳。该壳由抗氧化的第二金属材料制成。本发明还涉及一种用于制造半导体基板中的通孔的方法以及制造半导体芯片的方法。本发明还涉及一种半导体器件，其包括包含第一电极的半导体芯片；和施加于该半导体芯片的第一电极的金属颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN102789966A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201210157001.8 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 哈利勒·哈希尼;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体基板；和通过在所述半导体基板上沉积金属颗粒而在所述半导体基板上形成金属层，其中所述金属颗粒包含由第一金属材料制成的核和包围所述核的壳，所述壳由抗氧化的第二金属材料制成。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||